去年，佳能推出了首款納米壓印光刻（NIL）設(shè)備，與ASML的極紫外（EUV）和先進(jìn)的深紫外（DUV）光刻設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)激烈。

據(jù)《金融時(shí)報(bào)》報(bào)道，佳能宣布首批客戶預(yù)計(jì)在今年或明年收到第一臺(tái)NIL機(jī)器，用于調(diào)試。新設(shè)備的工作原理是在晶圓上沖壓特征，而非使用常見(jiàn)的蝕刻光刻技術(shù)，據(jù)說(shuō)比行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者ASML的EUV設(shè)備功耗低90%。

佳能光學(xué)產(chǎn)品業(yè)務(wù)主管Hiroaki Takeishi告訴《金融時(shí)報(bào)》，佳能計(jì)劃在2024年和2025年開(kāi)始發(fā)貨這些設(shè)備。他指出，這項(xiàng)專有技術(shù)可以以簡(jiǎn)單、低成本的方式制造尖端芯片。

納米壓印光刻技術(shù)已有15年開(kāi)發(fā)歷史，通過(guò)將芯片設(shè)計(jì)直接壓印到硅晶圓上，提供了一種新的芯片制造方法。這種方法與傳統(tǒng)的DUV和EUV光刻技術(shù)形成鮮明對(duì)比，有望顯著節(jié)省成本和提高能源效率。

佳能甚至聲稱其N(xiāo)IL工具的功耗比ASML的EUV工具低90%。NIL目前可用于使用5納米級(jí)工藝技術(shù)制造芯片，但最終可能發(fā)展到2納米級(jí)節(jié)點(diǎn)。

佳能表示，其納米壓印光刻設(shè)備的戰(zhàn)略是與現(xiàn)有設(shè)備共存，而非替代DUV或EUV設(shè)備。報(bào)道稱，如果不用于邏輯芯片，NIL還可用于制造3D NAND。

佳能推出納米壓印光刻技術(shù)迎合了當(dāng)前光刻系統(tǒng)需求的旺盛。此外，NIL可以提供更便宜的工具并實(shí)現(xiàn)更便宜的芯片制造。

然而，NIL與DUV和EUV都不兼容，這使得其插入當(dāng)前設(shè)計(jì)流程變得復(fù)雜。目前尚不清楚是否能夠開(kāi)發(fā)出僅依賴納米壓印光刻的制造工藝。因此，佳能納米壓印光刻技術(shù)的成功并不能保證，一些行業(yè)分析師對(duì)此表示懷疑。

總體而言，研究公司Radio Free Mobile總裁理查德·溫莎在接受《金融時(shí)報(bào)》采訪時(shí)表示：“如果納米壓印技術(shù)是一項(xiàng)好技術(shù)，我認(rèn)為它現(xiàn)在就會(huì)大量投入運(yùn)行。”